Каталог
Контакты

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3000 MHz Ripjaws G.Skill (F4-3000C16S-8GRS)

код товара: 140734

артикул: F4-3000C16S-8GRS

гарантия (мес): 99

производитель: G.Skill

доставка 1 - 2 дня
977 ₴
DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3000 МГц, CL16, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, нет
характеристики
Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность 5 Вт
Буферизация unbuffered
Количество модулей в наборе 1
Напряжение питания 1.2 В
Объем памяти 8 ГБ
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Стандарты памяти PC4-24000
Тайминги CL16
Тип памяти DDR4
Форм-фактор памяти 260-pin SO-DIMM
Частота памяти 3000 МГц
описание



Благодаря модулям памяти











SoDIMM DDR4 8GB 3000 MHz Ripjaws G.Skill (F4-3000C16S-8GRS)












Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.

DDR4 сейчас является доминирующим типом памяти для портативных и настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR4 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR3, и характеризуется меньшим энергопотреблением. DDR4 - это четвертое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Модули памяти для ноутбука











SoDIMM DDR4 8GB 3000 MHz Ripjaws G.Skill (F4-3000C16S-8GRS)












созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR4 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR4 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR3.