Каталог
Контакты

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Golden Memory (GM16S11/4)

код товара: 142172

артикул: GM16S11/4

гарантия (мес): 36

производитель: Golden Memory

доставка 1 - 2 дня
368 ₴
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC, нет
характеристики
Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность 5 Вт
Буферизация unbuffered
Количество модулей в наборе 1
Напряжение питания 1.5 В
Объем памяти 4 ГБ
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Стандарты памяти PC3-12800
Тайминги CL11
Тип памяти DDR3
Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM
Частота памяти 1600 МГц
описание



Благодаря модулям памяти













 SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Golden Memory (GM16S11/4)














Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.

DDR4 сейчас является доминирующим типом памяти для портативных и настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR4 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR3, и характеризуется меньшим энергопотреблением. DDR4 - это четвертое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Модули памяти для ноутбука













 SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Golden Memory (GM16S11/4)














созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR4 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR4 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR3.