Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02)

код товара: 149702

артикул: SP004GLLTU160N02

гарантия (мес): 36

производитель: Silicon Power

доставка 3 - 4 дня

681 ₴

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В

в магазин

характеристики

Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность	6 Вт
Количество модулей в наборе	1
Напряжение питания	1.35 В
Объём памяти	4 ГБ
Охлаждение	нет
Примечание	Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Производитель	Silicon Power
Тайминги	CL11
Тип памяти	DDR3
Частота памяти	1600 МГц

описание
Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02) работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Модуль памяти DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

описание

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02)

работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Модуль памяти

DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power

имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.