Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02)

код товара: 149702

артикул: SP004GLLTU160N02

гарантия (мес): 36

производитель: Silicon Power

доставка 3 - 4 дня

408 ₴

DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В

в магазин

характеристики

Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность	6 Вт
Количество модулей в наборе	1
Напряжение питания	1.35 В
Объем памяти	4 ГБ
Охлаждение	нет
Примечание	Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Тайминги	CL11
Тип памяти	DDR3
Частота памяти	1600 МГц

описание
Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02) работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Модуль памяти DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

описание

Модуль памяти DDR3 4GB 1600 MHz Silicon Power (SP004GLLTU160N02)

работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Модуль памяти

DR3 4GB 1600 MHz Silicon Power

имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность - сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.