Модуль памяти для компьютера DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GLLTU160N02)

код товара: 157886

артикул: SP008GLLTU160N02

гарантия (мес): 36

производитель: Silicon Power

доставка 2 - 3 дня

685 ₴

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В

в магазин

характеристики

Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность	6 Вт
Количество модулей в наборе	1
Напряжение питания	1.35 В
Объем памяти	8 ГБ
Охлаждение	нет
Примечание	Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Тайминги	CL11
Тип памяти	DDR3
Частота памяти	1600 МГц

описание
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение. Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GLLTU160N02) - это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с. Модуль имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

описание

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Silicon Power (SP008GLLTU160N02)

- это модуль памяти, который работает с тактовой частотой 1600 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 12800 МБ/с.
Модуль имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.