Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-8GRSL)

код товара: 198259

артикул: F3-1866C11S-8GRSL

гарантия (мес): 60

производитель: G.Skill

доставка 2 - 3 дня

871 ₴

DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1866 МГц, CL11, 1.35 В, с радиатором охлаждения

в магазин

характеристики

Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность	5 Вт
Количество модулей в наборе	1
Напряжение питания	1.35 В
Объем памяти	8 ГБ
Охлаждение	с радиатором охлаждения
Примечание	Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Тайминги	CL11
Тип памяти	DDR3
Частота памяти	1866 МГц

описание
Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-8GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-8GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 8 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); улучшенное энергосбережение.

описание

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-8GRSL) имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти SoDIMM DDR3 8GB 1866 MHz G.Skill (F3-1866C11S-8GRSL)- это модуль памяти одной планкой на 8 Гб. Память работает с тактовой частотой 1866 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 14900 МБ/с.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с); сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания); улучшенное энергосбережение.