Каталог
Контакты

Карта памяти Sony 240GB CFexpress Type B Tough (CEBG240T.CE7)

код товара: 264953

артикул: CEBG240T.CE7

гарантия (мес): 12

производитель: Sony

доставка 4 - 5 дней
14299 ₴
CFExpress, 240 ГБ, Скорость чтения до - 1850 МБ/с, Скорость записи до - 1600 МБ/с
характеристики
Прочие характеристики
Объем памяти 240 GB
Скорость записи до 1600 Mb/s
Скорость чтения до 1850 Mb/s
Тип карты памяти CFExpress
Физические размеры 29.6 x 38.5 x 3.8 мм
Цвет черный
описание
Незрівнянно швидкий, де б ви не були

Завдяки неймовірній швидкості читання та запису, накопичувачі серії CEB-G призначені для професійних фотографів, відеооператорів та ентузіастів, які бажають прискорити робочий процес завдяки високій швидкості та винятковій надійності.

Працюйте швидше, будьте продуктивнішими

Карти пам'яті CFexpress Type B відкривають нові можливості для професіоналів. Завдяки компактному, але надійному формату, що дозволяє зберігати файли з високою роздільною здатністю та здійснювати високошвидкісний запис, вони ідеально підходять для прискорення робочих процесів і підвищення продуктивності, дозволяючи вам мати більше часу для творчості.

Для вашої зручності

Для користувачів камер, які не потребують карт пам'яті, сертифікованих VPG, карти пам'яті CEB-G забезпечують високу швидкість фото- та відеозйомки.

Неймовірна міцність

Беріть карту пам'яті CFexpress Type B на спортивні події, натурні зйомки або в експедиції на природу. Вона призначена для тривалого професійного використання в найскладніших умовах, таких як засніжені гори та занесені піском пустелі, тому ви можете знімати, обмінювати та зберігати відео з повною впевненістю.

Для найскладніших умов

Завдяки міцній конструкції карти пам'яті CFexpress Type B мають чудову міцність, яка більш ніж у 3 рази перевищує стандарт CFexpress Type B на вигин, а також додаткову жорсткість, протестовану на 70 ньютонів сили, і можуть витримувати падіння з висоти до 5 метрів.

Для найскладніших умов експлуатації

Карти пам'яті CFexpress Type B бездоганно працюють за екстремальних температур, під впливом рентгенівського випромінювання, електростатичного поля та інтенсивного ультрафіолетового випромінювання.