Каталог
Контакты

Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Team (TED3L4G1600C11-S01)

код товара: 334975

артикул: TED3L4G1600C11-S01

гарантия (мес): 99

производитель: TEAM

доставка 1 - 2 дня
328 ₴
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM
характеристики
Прочие характеристики
(Сборка) Потребляемая мощность 5 Вт
Количество модулей в наборе 1
Напряжение питания 1.35 В
Объём памяти 4 ГБ
Охлаждение нет
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.
Производитель Team
Стандарты памяти PC3-12800
Тайминги CL11
Тип памяти DDR3
Форм-фактор памяти 204-pin SO-DIMM
Частота памяти 1600 МГц
описание
Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. Память обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых!

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz 1,35V Team (TED3L4G1600C11-S01) - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность, сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz 1,35V Team (TED3L4G1600C11-S01) создан на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти, DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.